Ricevo e pubblico da Gianni, un nostro affezionato lettore, questo interessante articolo da lui realizzato, riguardo la FeRAM, una nuova tecnologia per la realizzazione di memorie dalle interessanti caratteristiche.

Non tutti sono a conoscenza della eccezionale scoperta del Coreano Proff. Han Young-Shin che nel 2005, insieme ad un gruppo di ricerca dell’università della Pennsylvania ha intrapreso uno studio sulla ferroelettricità. Egli è riuscito a capire i difficili meccanismi con cui essa opera e nell’Ottobre 2007 ha pubblicato il suo studio col titolo “Nucleation and growth mechanism of ferroelectric domain-wall motion” sulla rivista Nature.

Per poter capire i vantaggi di questa formidabile scoperta vediamo innanzitutto di avere una panoramica sull’argomento in questione.
In primo luogo esitono due tipi di memorie, volatili e non-volatili.

Memoria Volatile

E’ una memoria che mantiene i propri dati solo finché riceve l’alimentazione allo spegnimento del computer le informazioni vanno perse. Questo tipo di memoria prende il nome di RAM (Ramdom Access Memory), si tratta di una memoria ad accesso casuale su cui è possibile leggere e scrivere dati in modo veloce. Possiamo distinguere fra due tipi di ram:

• La SRAM, Static Random Access Memory, che come dice l’acronimo è una memoria statica che può mantenere invariata l’informazione per un tempo “infinito”. Le SRAM sono di solito utilizzate per le memorie cache.
• La DRAM, Dynamic Random Access Memory, è una memoria dinamica che perde l’informazione dopo un breve lasso di tempo quindi ha bisogno di una ciclica cancellazione e riscrittura per evitare la perdita di dati (procedimento che viene detto di “refresh”).

Memoria Non-Volatile

Le memorie non-volatili mantengono le informazioni per anni anche senza bisogno di alimentazione, fra queste ricordiamo:

• Le memorie ROM, Random Only Memory, le quali vengono scritte una volta per poi poter essere rilette quante volte si vuole.
• Le memorie FLASH, Elettrico Alterable Programmable Read Only Memory, che sono veloci, riscrivibili e non avendo componenti meccanici sono più resistenti agli urti.

Adesso che abbiamo fatto alcune doverose distinzioni fra i tipi di memoria possiamo andare a vedere in cosa consiste la novità emersa dallo studio dal Professor Shin.
La FeRAM, Ferroelectric Random Access Memory, è una memoria molto simile come struttura alla DRAM ma a differenza di quest’ultima la FeRAM possiede una pellicola di materiale ferroelettrico che la rende una memoria non-volatile.
Essa è capace di memorizzare grandi quantità di informazioni, di elaborale ad altissima velocità, di molto superiore alla memoria flash, e con la caratteristica di mantenere i dati in essa memorizzati anche in assenza di alimentazione elettrica.

In poche parole la RAM ferroelettrica risulta veloce in lettura e scrittura quasi quanto una RAM dinamica ma dalla sua ha un numero di cicli in lettura e scrittura pressoché illimitati, cosa che non avviene, ad esempio, per le memorie flash le quali hanno cicli di scrittura molto ridotti; nonostante ciò la FeRAM può conservare informazioni per un tempo minimo di dieci anni.

Oggettivamente una memoria con queste proprietà potrebbe avere una forte duttilità d’utilizzo, per il momento, viste le caratteristiche, essa potrebbe svolgere la funzione delle SRAM che, come ho accennato precedentemente, sono utilizzate principalmente nelle memorie cache dei computer ma, essendo una scoperta molto innovativa, le sue possibili applicazioni non si fermeranno di certo ad una.

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